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团队介绍ASML和NIKON光刻机的翻新改造、安装调试及维护的核心技术能力
R-S622DArF浸没式扫描仪是通过进一步提高已验证的流线平台的准确性和生产力,用于20nm以下的高容量多模式应用
R-S635EArF浸入式光刻机,集成内联对准站(iAS),用于大容量5nm节点应用程序制造
尼康公司(东京港区总裁KazuoUshida)发布了一代尼康ArF浸入式扫描仪R-S631E
NikonARF浸入式光刻机R-S630D进一步提高了R-S622D的精度和生产率,它采用了以高精度和生产率着称的流线型平台,适用于10纳米范围内的工艺量产(多...
R-S621D已开发用于大批量制造22nm工艺节点(能够通过进一步提高久经考验的R-S620D的精度和生产率来处理双图案*1)
R-S320F的平台在尼康的浸入式扫描仪中得到验证,确保在客户领域及早实现稳定运行和高生产率
NikonKrF扫描光刻机R-S210D产能达到176wph
R-S609B(分辨率≦55nm),用于大批量生产的ArF浸入式扫描仪,NA1.07(一台突破NA1.0阈值的扫描仪)2006年,NikonR-S609B浸入式...
NikonKrF光刻机R-S205C于2000年在新加坡生产,分辨率≤120nm
TWICANNXT:2000i为高级逻辑和DRAM节点的大批量制造提供出色的覆盖、聚焦控制和交叉匹配
主要特点和优势TWICANNXT:2050i建立在面向未来的NXT4平台之上,突破了重叠限制,并为浸没式光刻系统提供了的生产力
ASML二手翻新ARF光刻机NXT:1470采用193nmARF光源,分辨率57nm,产能300wph
asml二手现货DUV光刻机XT:1460K采用193nmARF光源,分辨率65nm,产能205wph
ASML二手翻新现货DUV光刻机XT:1060K,采用248nmKRF曝光光源,分辨率80nm,产能205wph
ASML二手现货DUV光刻机XT:860M,采用248nmKRF光源,分辨率110nm,产能240wph
ASML二手现货DUV光刻机XT:400L,分辨率350nm,产能230wph
ASML二手翻新DUV光刻机NXT:1965Ci,采用193nmARF曝光光源,分辨率38nm,产能250wph
SUSSMA300Gen2掩模对准器用于300毫米和200毫米晶圆的高度自动化光刻对准平台
SUSSMA2003代光刻机专为大批量生产而设计,适用于200毫米以下晶圆和方形衬底的自动化加工
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